يشترى IRLHM620TRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLHM620TRPBF
- رقم القطعة:
- IRLHM620TRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16707 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLHM620TRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLHM620TRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLHM620TRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.1V @ 50µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (3x3) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | IRLHM620TRPBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLHM620TRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3620pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 78nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 26A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLHM620TRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STP15N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 800V 14A TO-220 | تحقيق |
 |
IRLHM620TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN | تحقيق |
|
IRLHM630TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | تحقيق |
|
IRLHM630TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | تحقيق |
 |
2SK3710 | Sanken | MOSFET N-CH 60V TO220S | تحقيق |
 |
STP36NF06FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 18A TO-220FP | تحقيق |
 |
PSMN015-100P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
IRF7831TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | تحقيق |
 |
APT18F60S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK | تحقيق |
 |
IPD50R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
|
IRF7463PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPI80P03P4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3 | تحقيق |
 |
VMO150-01P1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2 | تحقيق |
|
AUIRFR540Z | Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 35A DPAK | تحقيق |
 |
IRF7739L1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFETL8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog