IRLHS6342TR2PBF
IRLHS6342TR2PBF
رقم القطعة:
IRLHS6342TR2PBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12632 Pieces
ورقة البيانات:
IRLHS6342TR2PBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLHS6342TR2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLHS6342TR2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRLHS6342TR2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.1V @ 10µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:6-PQFN (2x2)
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):2.1W (Ta)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:6-PowerVDFN
اسماء اخرى:IRLHS6342TR2PBFDKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRLHS6342TR2PBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1019pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:11nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8.7A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات