يشترى IRLI620G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLI620G
- رقم القطعة:
- IRLI620G
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14128 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLI620G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLI620G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLI620G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 800 mOhm @ 2.4A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 30W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | *IRLI620G |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLI620G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 360pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLI620G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | تحقيق |
 |
IRLI620GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP | تحقيق |
 |
STD4NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK | تحقيق |
 |
IXTA170N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 170A TO-263 | تحقيق |
 |
BSC014N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | تحقيق |
 |
SI4442DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | تحقيق |
 |
STL92N10F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT | تحقيق |
 |
FDD6670AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 76A DPAK | تحقيق |
|
IRLI640GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP | تحقيق |
 |
TPS1101DG4 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRLI630GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP | تحقيق |
|
IRLI640G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP | تحقيق |
 |
IXTK102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264 | تحقيق |
 |
RP1H065SPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6 | تحقيق |
|
BSC052N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IRF7422D2PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
MTD6N20ET4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | تحقيق |
|
IRLI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog