يشترى IRLL014PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLL014PBF
- رقم القطعة:
- IRLL014PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18936 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLL014PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLL014PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLL014PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 1.6A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLL014PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.4nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLL014PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL5620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A TO262 | تحقيق |
 |
VP0106N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3 | تحقيق |
 |
FDD6685 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK | تحقيق |
 |
IRLL014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
IRLL014TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
2SK2503TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 5A DPAK | تحقيق |
|
IRLL014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
IRFR110TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | تحقيق |
|
SQ2337ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 80V SOT23 | تحقيق |
 |
IRLW630ATM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK | تحقيق |
 |
STB85NF55T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFH23N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 23A TO-247 | تحقيق |
|
FDMS8848NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 22.8A POWER56 | تحقيق |
 |
IXFQ60N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 60A TO3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog