يشترى IRLL024ZTRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLL024ZTRPBF
- رقم القطعة:
- IRLL024ZTRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16514 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLL024ZTRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLL024ZTRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLL024ZTRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | IRLL024ZTRPBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLL024ZTRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 380pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 5A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLL024ZTRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLL024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | تحقيق |
|
IRLL024Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 | تحقيق |
|
IRLL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 | تحقيق |
|
IRLL024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223 | تحقيق |
 |
RCD080N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428 | تحقيق |
|
IRLL014NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | تحقيق |
 |
IPB120N10S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
 |
BSS123ATC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | تحقيق |
|
IRLL014NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | تحقيق |
 |
SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | تحقيق |
|
IRLL014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | تحقيق |
 |
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog