يشترى IRLL3303TRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLL3303TRPBF
- رقم القطعة:
- IRLL3303TRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14281 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLL3303TRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLL3303TRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLL3303TRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 31 mOhm @ 4.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | IRLL3303PBFTR SP001567242 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLL3303TRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 840pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLL3303TRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 | تحقيق |
 |
IRLL3303 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
 |
STS5N15F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 5A 8SO | تحقيق |
|
IRLL3303PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
 |
RFD3055SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
2SK2866(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB | تحقيق |
|
IRLL3303TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | تحقيق |
 |
FDA69N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P | تحقيق |
 |
CSD17581Q5AT | Texas Instruments | 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | تحقيق |
 |
AOD4158 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 17A TO252 | تحقيق |
 |
NVMFS5C450NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog