يشترى IRLML2803TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLML2803TR
- رقم القطعة:
- IRLML2803TR
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15507 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLML2803TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLML2803TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLML2803TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Micro3™/SOT-23 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 250 mOhm @ 910mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 540mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | *IRLML2803TR IRLML2803 IRLML2803-ND IRLML2803CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLML2803TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 85pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLML2803TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLML2803GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IRLML2502TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | تحقيق |
|
IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | تحقيق |
|
IRLML2803TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 | تحقيق |
|
IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IRLML2402GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IRLML2060TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
IRLML5103GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IRLML2402TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | تحقيق |
|
IRLML2502GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 | تحقيق |
|
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 | تحقيق |
|
IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog