يشترى IRLR2908PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLR2908PBF
- رقم القطعة:
- IRLR2908PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19375 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLR2908PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLR2908PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLR2908PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D-Pak |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28 mOhm @ 23A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 120W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | *IRLR2908PBF 64-4073PBF 64-4073PBF-ND SP001567410 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRLR2908PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1890pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 33nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 80V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف: | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLR2908PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLR2905ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2908TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2908TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905CPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 36A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
|
IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog