يشترى ISL9R1560G2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ISL9R1560G2
- رقم القطعة:
- ISL9R1560G2
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13173 Pieces
- ورقة البيانات:
- ISL9R1560G2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ISL9R1560G2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ISL9R1560G2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.2V @ 15A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-2 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Stealth™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 40ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-2 |
| اسماء اخرى: | ISL9R1560G2-ND ISL9R1560G2FS |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 37 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ISL9R1560G2 |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-247-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 15A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISL9R1560G2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL9R1560S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2 | تحقيق |
|
ISL9R18120S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2 | تحقيق |
 |
ISL9R1560PF2 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC | تحقيق |
 |
ISL9R1560P2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE STEALTH 600V 15A TO22AC | تحقيق |
 |
ISL9R1560G2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 | تحقيق |
|
ISL9R1560P2 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC | تحقيق |
|
ISL9R18120G2 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog