العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXCP01N90E
IXCP01N90E
IXCP01N90E
رقم القطعة:
IXCP01N90E
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12188 Pieces
ورقة البيانات:
IXCP01N90E.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXCP01N90E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXCP01N90E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXCP01N90E مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 25µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:80 Ohm @ 50mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):40W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXCP01N90E
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:133pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:7.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 250mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:250mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXCP01N90E

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RJK5012DPP-E0#T2 Image RJK5012DPP-E0#T2 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 500V 12A TO220 تحقيق
NDP7060 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB تحقيق
SQJ461EP-T1_GE3 Image SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 30A تحقيق
IRFBC40LPBF Image IRFBC40LPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 تحقيق
NTR5103NT1G Image NTR5103NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23 تحقيق
NTA4151PT1G Image NTA4151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416 تحقيق
IRF540ZSTRR Image IRF540ZSTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK تحقيق
HUFA76609D3 Image HUFA76609D3 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA تحقيق
IXCP02M35A Image IXCP02M35A IXYS IC CURRENT REGULATOR TO220AB تحقيق
IXTH12N100L Image IXTH12N100L IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 تحقيق
IRFC4310EF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM تحقيق
BUK9675-55A,118 Image BUK9675-55A,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK تحقيق
IXCP02M45 Image IXCP02M45 IXYS IC CURRENT REGULATOR TO220AB تحقيق
IXCP02M45A Image IXCP02M45A IXYS IC CURRENT REGULATOR TO220AB تحقيق
AUIRFL024N Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 تحقيق
ZVP2120ASTOB Diodes Incorporated MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3 تحقيق
STWA40N95K5 Image STWA40N95K5 STMicroelectronics N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP., تحقيق
IXCP02M35 Image IXCP02M35 IXYS IC CURRENT REGULATOR TO220AB تحقيق
HS54095TZ-E Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92 تحقيق
IRLR3410PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 17A DPAK تحقيق

Latest الأخبار