يشترى IXDF602SI مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXDF602SI
- رقم القطعة:
- IXDF602SI
- وصف:
- 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19328 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXDF602SI.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXDF602SI ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXDF602SI عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC-EP |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 7.5ns, 6.5ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXDF602SI |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 3V |
| نوع المدخلات: | Inverting, Non-Inverting |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC-EP |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف: | 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 2A, 2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXDF602SI
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDF604SITR | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC | تحقيق |
|
IXDF602SITR | IXYS Integrated Circuits Division | 2A 8SOIC EXP MTL DUAL IN/NON-INV | تحقيق |
|
IXDF602SIA | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO | تحقيق |
|
IXDF602PI | IXYS Integrated Circuits Division | 2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV | تحقيق |
|
IXDF604SIA | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC | تحقيق |
|
IXDF602SIATR | IXYS Integrated Circuits Division | 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING | تحقيق |
|
IXDF602D2TR | IXYS Integrated Circuits Division | 2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV | تحقيق |
|
IXDF604SI | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC | تحقيق |
|
IXDF604SIATR | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC | تحقيق |
|
IXDF604PI | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog