IXDI502SIAT/R
رقم القطعة:
IXDI502SIAT/R
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17227 Pieces
ورقة البيانات:
IXDI502SIAT/R.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXDI502SIAT/R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXDI502SIAT/R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXDI502SIAT/R مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:4.5 V ~ 30 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):7.5ns, 6.5ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:IXDI502SIATR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:IXDI502SIAT/R
المنطق الجهد - فيل، فيه:0.8V, 3V
نوع المدخلات:Inverting
نوع البوابة:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
وصف موسع:Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
تكوين مدفوعة:Low-Side
وصف:IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 8SOIC
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):2A, 2A
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Independent
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات