IXDI602SIATR
رقم القطعة:
IXDI602SIATR
الصانع:
IXYS Integrated Circuits Division
وصف:
2A 8 SOIC DUAL INVERTING
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18252 Pieces
ورقة البيانات:
IXDI602SIATR.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXDI602SIATR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXDI602SIATR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXDI602SIATR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:4.5 V ~ 35 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):7.5ns, 6.5ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:7 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXDI602SIATR
المنطق الجهد - فيل، فيه:0.8V, 3V
نوع المدخلات:Inverting
نوع البوابة:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
وصف موسع:Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
تكوين مدفوعة:Low-Side
وصف:2A 8 SOIC DUAL INVERTING
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):2A, 2A
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Independent
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات