يشترى IXDN414YI مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXDN414YI
- رقم القطعة:
- IXDN414YI
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15581 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXDN414YI.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXDN414YI ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXDN414YI عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (D²Pak) |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 22ns, 20ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXDN414YI |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 3.5V |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| وصف موسع: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D²Pak) |
| تكوين مدفوعة: | Low-Side |
| وصف: | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 14A, 14A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXDN414YI
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDN414SI | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A14SOIC | تحقيق |
|
IXDN402SIA | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXDN402PI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP | تحقيق |
|
IXDN414PI | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | تحقيق |
|
IXDN414CI | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 | تحقيق |
|
IXDN404SI | IXYS | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC | تحقيق |
|
IXDN409SI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | تحقيق |
|
IXDN404SIA | IXYS | IC DUAL GATE DRIVER 4A 8 SOIC | تحقيق |
|
IXDN409SIA | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | تحقيق |
|
IXDN402SI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXDN409YI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | تحقيق |
|
IXDN409CI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | تحقيق |
|
IXDN409PI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | تحقيق |
|
IXDN430YI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | تحقيق |
|
IXDN430CI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog