العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
IXFA76N15T2
رقم القطعة:
IXFA76N15T2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 150V 76A TO263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13620 Pieces
ورقة البيانات:
IXFA76N15T2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA76N15T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA76N15T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFA76N15T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263AA
سلسلة:HiPerFET™, TrenchT2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:20 mOhm @ 38A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):350W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFA76N15T2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5800pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:97nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount TO-263AA
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET N-CH 150V 76A TO263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFA76N15T2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SPB100N04S2-04 Image SPB100N04S2-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK تحقيق
IRFS4610TRLPBF Image IRFS4610TRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK تحقيق
AOD520 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH تحقيق
IXFR25N90 Image IXFR25N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 تحقيق
CSD23285F5T Texas Instruments 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET تحقيق
2SK3801 Sanken MOSFET N-CH 40V TO-3P تحقيق
STP18N60DM2 Image STP18N60DM2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 12A تحقيق
IRL1104SPBF Image IRL1104SPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK تحقيق
SI4470EY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC تحقيق
IXFA7N60P3 Image IXFA7N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA تحقيق
IRF9317PBF Image IRF9317PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO تحقيق
R5011ANJTL Image R5011ANJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS تحقيق
IXFA7N100P Image IXFA7N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK تحقيق
NVTFS4C05NTAG Image NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 75A U8FL تحقيق
IRFR3707ZPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 56A DPAK تحقيق
IPB03N03LA Image IPB03N03LA Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK تحقيق
STB24N60M2 Image STB24N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK تحقيق
NDS8435A Image NDS8435A Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC تحقيق
APT55M65JFLL Image APT55M65JFLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 تحقيق
IXFA7N80P Image IXFA7N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار