يشترى IXFA76N15T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA76N15T2
- رقم القطعة:
- IXFA76N15T2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 76A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13620 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA76N15T2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA76N15T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA76N15T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AA |
| سلسلة: | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 38A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA76N15T2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 97nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount TO-263AA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 76A TO263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 76A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA76N15T2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | تحقيق |
 |
AOD520 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | تحقيق |
 |
IXFR25N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
CSD23285F5T | Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
 |
2SK3801 | Sanken | MOSFET N-CH 40V TO-3P | تحقيق |
 |
STP18N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A | تحقيق |
|
IRL1104SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK | تحقيق |
 |
SI4470EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFA7N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 7A TO-263AA | تحقيق |
 |
IRF9317PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 16A 8-SO | تحقيق |
 |
R5011ANJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
|
IXFA7N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK | تحقيق |
 |
NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A U8FL | تحقيق |
 |
IRFR3707ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK | تحقيق |
|
IPB03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
STB24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
NDS8435A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
APT55M65JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 | تحقيق |
|
IXFA7N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A TO-263 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers