يشترى IXFB30N120Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFB30N120Q2
- رقم القطعة:
- IXFB30N120Q2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16269 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFB30N120Q2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB30N120Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB30N120Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS264™ |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS264™ |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFB30N120Q2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 30A (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFB30N120Q2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFB30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 | تحقيق |
 |
SUM47N10-24L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK | تحقيق |
 |
BSC159N10LSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | تحقيق |
|
IXTK128N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 | تحقيق |
 |
NTD5406NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 70A DPAK | تحقيق |
|
IXFB300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 | تحقيق |
 |
STU8NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A IPAK | تحقيق |
 |
IRFR110TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | تحقيق |
 |
ZVN4306A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | تحقيق |
 |
STW40N95DK5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 950 V 0.120 OHM TYP. 3 | تحقيق |
|
IXFB38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 | تحقيق |
 |
FDB12N50UTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS4510PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | تحقيق |
 |
STB18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK | تحقيق |
 |
DMP4025SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 4.65A POWERDI | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog