العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFB40N110Q3
IXFB40N110Q3
IXFB40N110Q3
رقم القطعة:
IXFB40N110Q3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19924 Pieces
ورقة البيانات:
IXFB40N110Q3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB40N110Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB40N110Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFB40N110Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS264™
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:260 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1560W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFB40N110Q3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:300nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1100V (1.1kV) 40A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1100V (1.1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFB40N110Q3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFB40N110P Image IXFB40N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 تحقيق
IXFB44N100P Image IXFB44N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 تحقيق
FDP038AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB تحقيق
IXTH98N20T Image IXTH98N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 تحقيق
IXFX94N50P2 Image IXFX94N50P2 IXYS MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247 تحقيق
IPB081N06L3 G Image IPB081N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 تحقيق
STD60NF3LLT4 Image STD60NF3LLT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 60A DPAK تحقيق
AUIRF3315S Image AUIRF3315S Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK تحقيق
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 تحقيق
IRF7403PBF Image IRF7403PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC تحقيق
STH275N8F7-2AG Image STH275N8F7-2AG STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 تحقيق
IXFB44N100Q3 Image IXFB44N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 تحقيق
IRLHS2242TR2PBF Image IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN تحقيق
DMN6040SSS-13 Image DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO تحقيق
AON6204 Image AON6204 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN تحقيق
STP70N10F4 Image STP70N10F4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 65A TO-220 تحقيق

Latest الأخبار