العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH10N80P
IXFH10N80P
IXFH10N80P
رقم القطعة:
IXFH10N80P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15348 Pieces
ورقة البيانات:
IXFH10N80P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH10N80P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH10N80P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFH10N80P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 2.5mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:HiPerFET™, PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.1 Ohm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFH10N80P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2050pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:40nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH10N80P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD تحقيق
IXFH102N15T Image IXFH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 تحقيق
IXFH17N80Q Image IXFH17N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 تحقيق
IXFH100N25P Image IXFH100N25P IXYS MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 تحقيق
IXFH170N10P Image IXFH170N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 تحقيق
IXFH10N100 Image IXFH10N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD تحقيق
IXFH14N85X IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 تحقيق
IXFH160N15T2 Image IXFH160N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 تحقيق
IXFH10N100P Image IXFH10N100P IXYS MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD تحقيق
IXFH14N80P Image IXFH14N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 تحقيق
IXFH150N15P Image IXFH150N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 تحقيق
IXFH160N15T Image IXFH160N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 تحقيق
IXFH10N90 Image IXFH10N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD تحقيق
IXFH16N50P Image IXFH16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 تحقيق
IXFH10N100Q Image IXFH10N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD تحقيق
IXFH14N60P Image IXFH14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 تحقيق
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD تحقيق
IXFH15N100 Image IXFH15N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 تحقيق
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار