يشترى IXFH52N50P2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH52N50P2
- رقم القطعة:
- IXFH52N50P2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 52A TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20004 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH52N50P2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH52N50P2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH52N50P2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD (IXFH) |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 960W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH52N50P2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 113nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 52A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 52A TO247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 52A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH52N50P2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH50N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | تحقيق |
 |
BSO301SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | تحقيق |
 |
FDMS86200 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V POWER56 | تحقيق |
 |
IXFH52N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD | تحقيق |
 |
AOD1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 | تحقيق |
|
IXFH52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 | تحقيق |
 |
FDD390N15A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK | تحقيق |
|
IXFH58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH50N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 | تحقيق |
|
IXFH50N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | تحقيق |
|
FDZ201N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 9A BGA | تحقيق |
|
IXFH50N85X | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
NTD5865NL-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 46A IPAK | تحقيق |
 |
IRF1010EZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
|
IXFH50N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH50N30Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | تحقيق |
 |
IRFI640GPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP | تحقيق |
|
IXFH58N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog