يشترى IXFK210N17T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFK210N17T
- رقم القطعة:
- IXFK210N17T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13848 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFK210N17T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFK210N17T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFK210N17T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264AA (IXFK) |
| سلسلة: | GigaMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFK210N17T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 18800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 285nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 170V 210A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 170V |
| وصف: | MOSFET N-CH 170V 210A TO-264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 210A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFK210N17T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK21N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A TO264 | تحقيق |
|
IXFK26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK24N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK20N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK220N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A TO264 | تحقيق |
|
IXFK26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog