IXFK360N10T
IXFK360N10T
رقم القطعة:
IXFK360N10T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14512 Pieces
ورقة البيانات:
IXFK360N10T.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFK360N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFK360N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFK360N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 3mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-264AA (IXFK)
سلسلة:GigaMOS™ HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.9 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-264-3, TO-264AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFK360N10T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:33000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:525nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 360A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:360A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات