IXFN100N10S1
IXFN100N10S1
رقم القطعة:
IXFN100N10S1
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17393 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN100N10S1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN100N10S1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN100N10S1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN100N10S1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:15 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):360W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXFN100N10S1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:180nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 100A 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات