العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN40N110Q3
IXFN40N110Q3
IXFN40N110Q3
رقم القطعة:
IXFN40N110Q3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17663 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN40N110Q3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN40N110Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN40N110Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN40N110Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 8mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:260 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):960W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN40N110Q3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:14000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:300nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1100V (1.1kV) 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1100V (1.1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN40N110Q3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN40N90P Image IXFN40N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق
IXFN420N10T Image IXFN420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227 تحقيق
IXFN48N50 Image IXFN48N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN40N110P Image IXFN40N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50Q Image IXFN48N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN48N55 Image IXFN48N55 IXYS MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80P Image IXFN44N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B تحقيق
IXFN44N100P Image IXFN44N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50U3 Image IXFN48N50U3 IXYS MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50Q Image IXFN44N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80Q3 Image IXFN44N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227 تحقيق
IXFN44N50 Image IXFN44N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80 Image IXFN44N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50U2 Image IXFN44N50U2 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50U3 Image IXFN44N50U3 IXYS MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN44N100Q3 Image IXFN44N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار