يشترى IXFP34N65X2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP34N65X2
- رقم القطعة:
- IXFP34N65X2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16797 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP34N65X2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP34N65X2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP34N65X2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 105 mOhm @ 17A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 540W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IXFP34N65X2X IXFP34N65X2X-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP34N65X2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3330pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 56nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 34A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP34N65X2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF3708S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFP30N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | تحقيق |
 |
FQA7N90M | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P | تحقيق |
|
IXFP3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 | تحقيق |
|
IXFP36N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO220 | تحقيق |
 |
NTD4809NAT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK | تحقيق |
 |
IPS04N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK | تحقيق |
 |
STI4N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK | تحقيق |
|
IPS06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK | تحقيق |
|
IXFP3N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220 | تحقيق |
 |
STU13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A IPAK | تحقيق |
 |
IRF6620TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | تحقيق |
 |
BSC027N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | تحقيق |
 |
LP0701N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3 | تحقيق |
|
IXFP3N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 2.7A TO-220 | تحقيق |
 |
FQD2N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | تحقيق |
 |
NTB60N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | تحقيق |
 |
PHU97NQ03LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A I-PAK | تحقيق |
 |
IXTX120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247 | تحقيق |
 |
SIHG33N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog