يشترى IXFP7N80PM مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP7N80PM
- رقم القطعة:
- IXFP7N80PM
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16650 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP7N80PM.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP7N80PM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP7N80PM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP7N80PM |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1890pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 3.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP7N80PM
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFP7N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
TK5A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS | تحقيق |
|
IXFP7N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | تحقيق |
|
IRF9610STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK | تحقيق |
|
IRLZ24STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
TPWR8004PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP | تحقيق |
|
IXFP7N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
SI7302DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8 | تحقيق |
 |
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | تحقيق |
 |
FDMS7672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 | تحقيق |
 |
2N6661JTXP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
|
SPB10N10L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | تحقيق |
 |
RCJ120N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12A LPT | تحقيق |
|
IXFP76N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 76A TO-220 | تحقيق |
 |
AOD502 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 25V 15A TO252 | تحقيق |
 |
IRLR8103VTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | تحقيق |
 |
IRFB16N60LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog