يشترى IXFP8N85X مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFP8N85X
- رقم القطعة:
- IXFP8N85X
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
- الكمية المتوفرة:
- 18820 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFP8N85X.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFP8N85X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFP8N85X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB (IXFP) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200W (Tc) |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFP8N85X |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 654pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 850V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 850V |
| وصف: | MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFP8N85X
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor | 0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET | تحقيق |
 |
IRFB7437PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 195A TO220 | تحقيق |
 |
AON7508 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN | تحقيق |
 |
FDMS86381_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | POWER TRENCH MOSFET | تحقيق |
 |
IRFR9110TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK | تحقيق |
 |
STB4N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFP8N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 | تحقيق |
 |
DMP4025SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V POWERDI3333-8 | تحقيق |
 |
RSD130P10TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 13A SOT428 | تحقيق |
 |
ZVNL120ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
 |
RZF013P01TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 | تحقيق |
 |
SIB414DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 | تحقيق |
|
IRFBF20STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFX30N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 | تحقيق |
 |
IXTT80N20L | IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A TO-268 | تحقيق |
 |
IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN | تحقيق |
 |
SPD15N06S2L-64 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A DPAK | تحقيق |
 |
NTTFS4840NTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN | تحقيق |
|
IXFP8N50PM | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 | تحقيق |
 |
CSD13202Q2 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 76A 6SON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog