يشترى IXFR27N80Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR27N80Q
- رقم القطعة:
- IXFR27N80Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18261 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR27N80Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR27N80Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR27N80Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 13.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR27N80Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 170nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 27A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR27N80Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR20N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXFK48N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 | تحقيق |
|
IXFR25N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog