يشترى IXFR30N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR30N60P
- رقم القطعة:
- IXFR30N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19644 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR30N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR30N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR30N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 250 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 166W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR30N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3820pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 85nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 15A (Tc) 166W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR30N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STB18NF30 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK | تحقيق |
|
IXFR32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DMN2550UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3 | تحقيق |
|
IXFR36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
MTB50P03HDLG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IXFR36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
2V7002LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3 | تحقيق |
|
IXFR38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IRFPE50 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC | تحقيق |
|
IXFR32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXFK180N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFR30N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
BFL4026-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 3.5A | تحقيق |
|
IXFR32N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR34N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog