يشترى IXFR48N60Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR48N60Q3
- رقم القطعة:
- IXFR48N60Q3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12087 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR48N60Q3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR48N60Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR48N60Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 154 mOhm @ 24A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR48N60Q3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7020pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 32A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR48N60Q3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR44N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR48N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR44N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
SIS330DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | تحقيق |
|
IXFR44N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR44N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR40N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
ZVN4310GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 | تحقيق |
|
IXFR40N90P | IXYS | MOSFET N-CH ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
CPC3730C | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 350V SOT89 | تحقيق |
|
IXFR48N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
2N7002-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 | تحقيق |
 |
RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
|
IXFR44N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
AUIRFR5505 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog