يشترى IXFR64N60Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR64N60Q3
- رقم القطعة:
- IXFR64N60Q3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12881 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR64N60Q3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR64N60Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR64N60Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 4mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 104 mOhm @ 32A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 568W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR64N60Q3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9930pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 190nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 42A (Tc) 568W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR64N60Q3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STD4N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., | تحقيق |
 |
SPB10N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK | تحقيق |
|
STB20NM60D | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
 |
BSS138_L99Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 | تحقيق |
 |
HUF75344A3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A TO-3PN | تحقيق |
 |
AO4714 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFR66N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
NTD4863N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK | تحقيق |
|
IRFBC30ASTRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | تحقيق |
|
IXFR64N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR64N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR64N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IPD200N15N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 | تحقيق |
|
DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 10A 8SOP | تحقيق |
|
NDS355N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog