يشترى IXFR80N50Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFR80N50Q3
- رقم القطعة:
- IXFR80N50Q3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18917 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFR80N50Q3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFR80N50Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFR80N50Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 72 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 570W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFR80N50Q3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 200nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 50A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFR80N50Q3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
BSO200N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO | تحقيق |
|
IXFR80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
EPC2039ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE | تحقيق |
 |
PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | تحقيق |
 |
IPI037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | تحقيق |
|
IXFR80N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFR80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
AON6526 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 | تحقيق |
 |
AO4576 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | تحقيق |
 |
SPD30P06P G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog