يشترى IXFT4N100Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT4N100Q
- رقم القطعة:
- IXFT4N100Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14925 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT4N100Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT4N100Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT4N100Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT4N100Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1050pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 39nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT4N100Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 | تحقيق |
 |
IXFT40N85XHV | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO268HV | تحقيق |
 |
IPU50R950CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | تحقيق |
 |
IPB80N06S2L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | تحقيق |
|
IXFT400N075T2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 | تحقيق |
 |
IXTQ200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P | تحقيق |
 |
IXFT42N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 42A TO268 | تحقيق |
 |
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 | تحقيق |
 |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON | تحقيق |
|
IXFT44N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT40N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT44N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXTQ30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P | تحقيق |
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_55/60V | تحقيق |
 |
FDMC8676 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 16A POWER33 | تحقيق |
|
IXFT40N30Q | IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 | تحقيق |
 |
STP22NS25Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 22A TO-220 | تحقيق |
 |
STD5N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK | تحقيق |
 |
IRFH5204TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A PQFN | تحقيق |
 |
SI1405DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog