يشترى IXFT60N25Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFT60N25Q
- رقم القطعة:
- IXFT60N25Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13392 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFT60N25Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFT60N25Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFT60N25Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 47 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFT60N25Q |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5100pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 180nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 250V 60A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 250V |
| وصف: | MOSFET N-CH 250V 60A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT60N25Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT60N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO268 | تحقيق |
 |
BSC520N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IRLR120TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | تحقيق |
 |
IRFBF20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB | تحقيق |
 |
IXFZ140N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A DE475 | تحقيق |
|
IXFT6N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT69N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 | تحقيق |
 |
IPP120N08S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | تحقيق |
 |
BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IXFT6N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 6A TO268 | تحقيق |
 |
IRFS3207ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | تحقيق |
|
IRFR5305TRL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | تحقيق |
 |
FDD8782 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK | تحقيق |
 |
IXFN48N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B | تحقيق |
 |
STP14NK50ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP | تحقيق |
 |
SI5401DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8 | تحقيق |
 |
BUK9Y7R8-80E,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V LFPAK | تحقيق |
 |
IPI200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 | تحقيق |
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog