IXFX32N100Q3
IXFX32N100Q3
رقم القطعة:
IXFX32N100Q3
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16405 Pieces
ورقة البيانات:
IXFX32N100Q3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX32N100Q3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX32N100Q3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFX32N100Q3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:320 mOhm @ 16A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1250W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFX32N100Q3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9940pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:195nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات