يشترى IXFX64N60P3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFX64N60P3
- رقم القطعة:
- IXFX64N60P3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15460 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFX64N60P3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX64N60P3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX64N60P3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 95 mOhm @ 32A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1130W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFX64N60P3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 145nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 64A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX64N60P3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX64N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX64N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 | تحقيق |
 |
VN2460N8-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3 | تحقيق |
|
IXFX64N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX64N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX60N55Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX66N85X | IXYS | 850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | تحقيق |
 |
DMT10H015LCG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN | تحقيق |
|
IXFX66N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247 | تحقيق |
 |
FQP27N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220 | تحقيق |
|
IXFX62N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog