يشترى IXGQ20N120BD1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXGQ20N120BD1
- رقم القطعة:
- IXGQ20N120BD1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 1200V 40A 190W TO3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12927 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXGQ20N120BD1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXGQ20N120BD1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXGQ20N120BD1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.4V @ 15V, 20A |
| اختبار حالة: | 960V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 20ns/270ns |
| تحويل الطاقة: | 2.1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 40ns |
| السلطة - ماكس: | 190W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXGQ20N120BD1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 62nC |
| وصف موسع: | IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-3P |
| وصف: | IGBT 1200V 40A 190W TO3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 100A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 40A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXGQ20N120BD1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGQ28N120BD1 | IXYS | IGBT 1200V 50A 250W TO3P | تحقيق |
|
IXGQ200N30PB | IXYS | IGBT 300V 400A TO3P | تحقيق |
 |
IRG4PC50UD-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 55A 200W TO247-3 | تحقيق |
|
FGA20S140P | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN | تحقيق |
 |
FGH20N6S2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 28A 125W TO247 | تحقيق |
 |
IXGP30N60C3D4 | IXYS | IGBT 600V 60A 220W TO220AB | تحقيق |
 |
IRGB4059DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8A 56W TO220AB | تحقيق |
 |
IXGT10N170 | IXYS | IGBT 1700V 20A 110W TO268 | تحقيق |
 |
APT30GN60BG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 63A 203W TO247 | تحقيق |
|
IXGQ20N120B | IXYS | IGBT 1200V 40A 190W TO3P | تحقيق |
|
IXGQ240N30PB | IXYS | IGBT 300V 240A 500W TO3P | تحقيق |
|
IXGQ28N120B | IXYS | IGBT 1200V 50A 250W TO3P | تحقيق |
 |
STGF19NC60KD | STMicroelectronics | IGBT 600V 16A 32W TO220FP | تحقيق |
 |
IXGH60N60C3 | IXYS | IGBT 600V 75A 380W TO247AD | تحقيق |
 |
FID60-06D | IXYS | IGBT 600V 65A 200W I4PAC5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog