يشترى IXGQ85N33PCD1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXGQ85N33PCD1
- رقم القطعة:
- IXGQ85N33PCD1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 330V 85A 150W TO3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18119 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXGQ85N33PCD1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXGQ85N33PCD1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXGQ85N33PCD1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 330V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3V @ 15V, 100A |
| اختبار حالة: | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | - |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | Polar™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 250ns |
| السلطة - ماكس: | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXGQ85N33PCD1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 80nC |
| وصف موسع: | IGBT 330V 85A 150W Through Hole TO-3P |
| وصف: | IGBT 330V 85A 150W TO3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 85A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXGQ85N33PCD1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 14A 75W D2PAK | تحقيق |
 |
NGTB05N60R2DT4G | ON Semiconductor | IGBT 5A 600V DPAK | تحقيق |
 |
STGP7NC60HD | STMicroelectronics | IGBT 600V 25A 80W TO220 | تحقيق |
|
STGB35N35LZT4 | STMicroelectronics | IGBT 345V 40A 176W D2PAK | تحقيق |
 |
IRGP6690D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 90A TO247AD | تحقيق |
 |
IXBH32N300 | IXYS | IGBT 3000V 80A 400W TO247 | تحقيق |
 |
AUIRGP4066D1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 140A 454W TO-247AC | تحقيق |
|
AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | IGBT 1200V 57A 200W TO247AC | تحقيق |
 |
IRG7CH42UEF | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | تحقيق |
 |
IXGR60N60C2G1 | IXYS | IGBT 600V 75A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STGB10NB37LZT4 | STMicroelectronics | IGBT 440V 20A 125W D2PAK | تحقيق |
 |
ISL9V3036S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 360V 21A 150W TO263AB | تحقيق |
 |
STGWT60V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 375W TO3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog