يشترى IXGT30N120B3D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXGT30N120B3D1
- رقم القطعة:
- IXGT30N120B3D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 1200V 300W TO268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19357 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXGT30N120B3D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXGT30N120B3D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXGT30N120B3D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.5V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 960V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 16ns/127ns |
| تحويل الطاقة: | 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | GenX3™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 100ns |
| السلطة - ماكس: | 300W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXGT30N120B3D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 87nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 1200V 300W Surface Mount TO-268 |
| وصف: | IGBT 1200V 300W TO268 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 150A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXGT30N120B3D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGT30N120BD1 | IXYS | IGBT 1200V TO268 | تحقيق |
|
IXGT32N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO268 | تحقيق |
|
IXGT30N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO268 | تحقيق |
|
IXGT30N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO268 | تحقيق |
|
IXGT31N60D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 150W TO268 | تحقيق |
|
IXGT32N90B2D1 | IXYS | IGBT 900V 64A 300W TO268 | تحقيق |
|
IXGT32N170A | IXYS | IGBT 1700V 32A 350W TO268 | تحقيق |
|
IXGT30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO268 | تحقيق |
|
IXGT30N60C2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO268 | تحقيق |
|
IXGT39N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 76A 200W TO268 | تحقيق |
 |
IXGT32N120A3 | IXYS | IGBT 1200V 75A 300W TO268 | تحقيق |
|
IXGT30N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO268 | تحقيق |
|
IXGT32N90B2 | IXYS | IGBT 900V 64A 300W TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog