يشترى IXGT60N60C3D1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXGT60N60C3D1
- رقم القطعة:
- IXGT60N60C3D1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 600V 75A 380W TO268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14898 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXGT60N60C3D1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXGT60N60C3D1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXGT60N60C3D1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 480V, 40A, 3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 21ns/70ns |
| تحويل الطاقة: | 800µJ (on), 450µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | GenX3™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 25ns |
| السلطة - ماكس: | 380W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXGT60N60C3D1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 115nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268 |
| وصف: | IGBT 600V 75A 380W TO268 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 300A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 75A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXGT60N60C3D1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGT60N60C2 | IXYS | IGBT 600V 75A 480W TO268 | تحقيق |
|
IXGT60N60B2 | IXYS | IGBT 600V 75A 500W TO268 | تحقيق |
|
IXGT60N60 | IXYS | IGBT 600V 75A 300W TO268 | تحقيق |
 |
IRGSL4062DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 48A 250W TO262 | تحقيق |
 |
SGL50N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 250W TO264 | تحقيق |
|
IXGT6N170A | IXYS | IGBT 1700V 6A 75W TO268 | تحقيق |
 |
RJP60F5DPK-01#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 80A 260.4W | تحقيق |
 |
RGTH60TS65GC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 58A 197W TO-247N | تحقيق |
|
IXGT6N170AHV | IXYS | IGBT 1700V 6A 75W TO268 | تحقيق |
|
IXGT39N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 76A 200W TO268 | تحقيق |
|
IXGT6N170 | IXYS | IGBT 1700V 12A 75W TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog