العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXKP20N60C5M
IXKP20N60C5M
IXKP20N60C5M
رقم القطعة:
IXKP20N60C5M
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15051 Pieces
ورقة البيانات:
IXKP20N60C5M.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXKP20N60C5M ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXKP20N60C5M عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXKP20N60C5M مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 1.1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220ABFP
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:200 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXKP20N60C5M
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1520pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:N-Channel 600V 7.6A (Tc) Through Hole TO-220ABFP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXKP20N60C5M

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXKP20N60C5 Image IXKP20N60C5 IXYS MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB تحقيق
IRFB13N50APBF Image IRFB13N50APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB تحقيق
SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC تحقيق
SI4850EY-T1 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC تحقيق
SIS452DN-T1-GE3 Image SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK تحقيق
IXKP24N60C5M Image IXKP24N60C5M IXYS MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP تحقيق
IRF630BTSTU_FP001 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 تحقيق
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 تحقيق
IRFH8334TRPBF Image IRFH8334TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN تحقيق
IRF737LCL Image IRF737LCL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262 تحقيق
FCH041N60E Image FCH041N60E Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N CH 600V 77A TO-247 تحقيق
IXKP24N60C5 Image IXKP24N60C5 IXYS MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB تحقيق
DMN4026SK3-13 Image DMN4026SK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 28A TO252 تحقيق
IXTH360N055T2 Image IXTH360N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 تحقيق
STL10N60M2 Image STL10N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 تحقيق
AON7409 Image AON7409 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 30V 16A 8DFN تحقيق

Latest الأخبار