يشترى IXSK30N60CD1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXSK30N60CD1
- رقم القطعة:
- IXSK30N60CD1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 600V 55A 200W TO264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16309 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXSK30N60CD1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXSK30N60CD1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXSK30N60CD1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 30ns/90ns |
| تحويل الطاقة: | 700µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264AA(IXSK) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| السلطة - ماكس: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXSK30N60CD1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 100nC |
| وصف موسع: | IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-264AA(IXSK) |
| وصف: | IGBT 600V 55A 200W TO264 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 110A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 55A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXSK30N60CD1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGB20V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 40A 167W D2PAK | تحقيق |
 |
NGTB45N60S1WG | ON Semiconductor | IGBT 45A 600V TO-247 | تحقيق |
 |
IXSK30N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 55A 200W TO264 | تحقيق |
 |
STGWA45HF60WDI | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 310W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4PC40K | Infineon Technologies | IGBT 600V 42A 160W TO247AC | تحقيق |
 |
AOK40B65M3 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 40A TO247 | تحقيق |
 |
IXGH16N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO247 | تحقيق |
|
IXSK35N120AU1 | IXYS | IGBT 1200V 70A 300W TO264 | تحقيق |
 |
IGW60T120 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 100A 375W TO247-3 | تحقيق |
|
AUIRG4BC30S-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 34A 100W D2PAK | تحقيق |
 |
IXGQ170N30PB | IXYS | IGBT 300V 170A 330W TO3P | تحقيق |
|
IXSK35N120BD1 | IXYS | IGBT 1200V 70A 300W TO264 | تحقيق |
|
IXGH31N60D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 150W TO247AD | تحقيق |
|
SGH10N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 16A 75W TO3P | تحقيق |
 |
IRG7PH42UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 85A 320W TO247AD | تحقيق |
 |
STGDL6NC60DT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 13A 50W DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog