يشترى IXSX35N120BD1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXSX35N120BD1
- رقم القطعة:
- IXSX35N120BD1
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IGBT 1200V 70A 300W PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15207 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXSX35N120BD1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXSX35N120BD1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXSX35N120BD1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.6V @ 15V, 35A |
| اختبار حالة: | 960V, 35A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 36ns/160ns |
| تحويل الطاقة: | 5mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 40ns |
| السلطة - ماكس: | 300W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXSX35N120BD1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 120nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 1200V 70A 300W Through Hole PLUS247™-3 |
| وصف: | IGBT 1200V 70A 300W PLUS247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 140A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 70A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXSX35N120BD1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FGH20N60SFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 165W TO247 | تحقيق |
 |
STGP10NB37LZ | STMicroelectronics | IGBT 440V 20A 125W TO220 | تحقيق |
 |
APT15GP60BDLG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 56A 250W TO247 | تحقيق |
 |
92-0065 | Infineon Technologies | IGBT STD 600V 60A TO-220AB | تحقيق |
 |
IHW15N120R2 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 357W TO247-3 | تحقيق |
 |
STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 10A 75W DPAK | تحقيق |
 |
IXBH9N160G | IXYS | IGBT 1600V 9A 100W TO247AD | تحقيق |
 |
STGF15M65DF2 | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | تحقيق |
 |
IKU04N60RBKMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 8A 75W TO251-3 | تحقيق |
 |
IXGR40N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 167W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog