العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV
رقم القطعة:
IXTA1N200P3HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17024 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA1N200P3HV.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA1N200P3HV ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA1N200P3HV عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA1N200P3HV مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 Ohm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA1N200P3HV
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:646pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:23.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 2000V (2kV) 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):2000V (2kV)
وصف:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA1N200P3HV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA120N075T2 Image IXTA120N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 تحقيق
IXTA12N50P Image IXTA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK تحقيق
IXTA120P065T Image IXTA120P065T IXYS MOSFET P-CH 65V 120A TO-263 تحقيق
IXTA110N055T2 Image IXTA110N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 تحقيق
IXTA12N65X2 Image IXTA12N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 تحقيق
IXTA100N04T2 Image IXTA100N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 تحقيق
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 تحقيق
IXTA10P50P Image IXTA10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 تحقيق
IXTA15N50L2 Image IXTA15N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 15A TO-263 تحقيق
IXTA1N170DHV Image IXTA1N170DHV IXYS MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 تحقيق
IXTA152N085T7 Image IXTA152N085T7 IXYS MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7 تحقيق
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 تحقيق
IXTA130N10T Image IXTA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 تحقيق
IXTA130N10T7 Image IXTA130N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 تحقيق
IXTA160N075T Image IXTA160N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 160A TO-263 تحقيق
IXTA130N065T2 Image IXTA130N065T2 IXYS MOSFET N-CH 65V 130A TO-263 تحقيق
IXTA180N10T Image IXTA180N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 تحقيق
IXTA160N10T7 Image IXTA160N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 تحقيق
IXTA15P15T Image IXTA15P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 15A TO-263 تحقيق
IXTA160N10T Image IXTA160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار