العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
رقم القطعة:
IXTA2R4N120P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12410 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA2R4N120P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA2R4N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA2R4N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA2R4N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:Polar™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA2R4N120P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1207pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:37nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 2.4A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA2R4N120P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA28P065T Image IXTA28P065T IXYS MOSFET P-CH 65V 28A TO-263 تحقيق
IXTA220N055T Image IXTA220N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-263 تحقيق
IXTA200N085T7 Image IXTA200N085T7 IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7 تحقيق
IXTA260N055T2-7 Image IXTA260N055T2-7 IXYS MOSFET N-CH 55V 260A TO-263 تحقيق
IXTA240N055T Image IXTA240N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 240A TO-263 تحقيق
IXTA200N085T Image IXTA200N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 تحقيق
IXTA200N055T2 Image IXTA200N055T2 IXYS MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 تحقيق
IXTA20N65X Image IXTA20N65X IXYS MOSFET N-CH 650V 20A TO-263 تحقيق
IXTA26P20P Image IXTA26P20P IXYS MOSFET P-CH 200V 26A TO-263 تحقيق
IXTA2N80 Image IXTA2N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 تحقيق
IXTA220N04T2-7 Image IXTA220N04T2-7 IXYS MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7 تحقيق
IXTA26P10T Image IXTA26P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 تحقيق
IXTA220N055T7 Image IXTA220N055T7 IXYS MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7 تحقيق
IXTA27N20T Image IXTA27N20T IXYS MOSFET N-CH 20V 27A TO-263 تحقيق
IXTA240N055T7 Image IXTA240N055T7 IXYS MOSFET N-CH 55V 240A TO-263-7 تحقيق
IXTA230N075T2 Image IXTA230N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 تحقيق
IXTA24P085T Image IXTA24P085T IXYS MOSFET P-CH 85V 24A TO-263 تحقيق
IXTA200N075T Image IXTA200N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 تحقيق
IXTA2N100P Image IXTA2N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 تحقيق
IXTA230N075T2-7 IXYS MOSFET N-CH 75V 230A TO-263 تحقيق

Latest الأخبار