العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA75N10P
IXTA75N10P
IXTA75N10P
رقم القطعة:
IXTA75N10P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17058 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA75N10P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA75N10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA75N10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA75N10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:PolarHT™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:25 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):360W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA75N10P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2250pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:74nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 75A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA75N10P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SPA04N60C3XKSA1 Image SPA04N60C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP تحقيق
IXTA70N075T2 Image IXTA70N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 70A TO-263 تحقيق
SPA06N80C3 Image SPA06N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP تحقيق
IXTA76N25T Image IXTA76N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 76A TO-263 تحقيق
DMN2028UVT-13 Image DMN2028UVT-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 تحقيق
FDMS7570S Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 تحقيق
AO4486 Image AO4486 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC تحقيق
IXTA76P10T Image IXTA76P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 76A TO-263 تحقيق
IRFP244 Image IRFP244 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC تحقيق
2N6784 Image 2N6784 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 200V TO-205AF تحقيق
IXTA70N085T Image IXTA70N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 70A TO-263 تحقيق
FDR838P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8 تحقيق
IXTA74N15T Image IXTA74N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 74A TO-263 تحقيق
IXTA76N075T Image IXTA76N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 تحقيق
IRFI830GPBF Image IRFI830GPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP تحقيق
SI3454ADV-T1-GE3 Image SI3454ADV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP تحقيق
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B تحقيق
PSMN1R8-30PL,127 Image PSMN1R8-30PL,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V TO220AB تحقيق
IXTA72N20T Image IXTA72N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 72A TO-263 تحقيق
IPP260N06N3GXKSA1 Image IPP260N06N3GXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 تحقيق

Latest الأخبار