يشترى IXTH30N60L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH30N60L2
- رقم القطعة:
- IXTH30N60L2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16163 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH30N60L2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH30N60L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH30N60L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | Linear L2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 240 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 540W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 622201 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH30N60L2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 335nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH30N60L2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH3N200P3HV | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH300N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 300A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH340N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | تحقيق |
|
IXTH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH3N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog