يشترى IXTH6N90 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH6N90
- رقم القطعة:
- IXTH6N90
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14934 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH6N90.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH6N90 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH6N90 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.8 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 180W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH6N90 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH6N90
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH67N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD | تحقيق |
|
IXTH60N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 60A TO-247 | تحقيق |
 |
SVD5867NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | تحقيق |
|
IXTH64N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 64A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH60N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH62N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 62A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH60N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH6N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 | تحقيق |
 |
DMT3006LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI | تحقيق |
|
IXTH64N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 64A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH62N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 62A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH6N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD | تحقيق |
|
IXTH6N90A | IXYS | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH68P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 68A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH6N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 6A TO247 | تحقيق |
|
IXTH6N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH60N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH60N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH6N80A | IXYS | MOSFET N-CH 800V 6A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog