IXTI12N50P
IXTI12N50P
رقم القطعة:
IXTI12N50P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12308 Pieces
ورقة البيانات:
IXTI12N50P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTI12N50P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTI12N50P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTI12N50P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263
سلسلة:Polar™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:500 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):200W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXTI12N50P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1830pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:29nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-263
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات