يشترى IXTK17N120L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTK17N120L
- رقم القطعة:
- IXTK17N120L
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13115 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTK17N120L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTK17N120L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTK17N120L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 (IXTK) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 8.5A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 700W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTK17N120L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 155nC @ 15V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 17A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTK17N120L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTK102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264 | تحقيق |
 |
IXTK180N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK120N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK170P10P | IXYS | MOSFET P-CH 100V 170A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK120N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK110N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK120N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK120P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK160N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK180N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK120N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK110N20L2 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 110A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK102N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 | تحقيق |
|
IXTK128N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog