العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTN320N10T
IXTN320N10T
IXTN320N10T
رقم القطعة:
IXTN320N10T
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17083 Pieces
ورقة البيانات:
IXTN320N10T.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN320N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN320N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTN320N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:-
تبديد الطاقة (ماكس):680W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
اسماء اخرى:IXTH320N10T
Q3347867
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IXTN320N10T
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 320A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:320A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTN320N10T

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
PSMN075-100MSEX Image PSMN075-100MSEX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 تحقيق
NTP18N06 Image NTP18N06 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB تحقيق
IRF644L Image IRF644L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 14A TO-262 تحقيق
NVMFS6B14NWFT1G Image NVMFS6B14NWFT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL تحقيق
IRF7451TR Image IRF7451TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC تحقيق
BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 تحقيق
IXTN30N100L Image IXTN30N100L IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227 تحقيق
FDD26AN06A0 Image FDD26AN06A0 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK تحقيق
RUM003N02T2L Image RUM003N02T2L Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3 تحقيق
IXFH110N25T Image IXFH110N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 110A TO-247 تحقيق
SSP45N20B_FP001 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 35A TO-220 تحقيق
ZXMN7A11GTA Image ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223 تحقيق
SI1046R-T1-E3 Image SI1046R-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 تحقيق
IXTN36N50 Image IXTN36N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227 تحقيق
NTLUS3A90PZCTBG Image NTLUS3A90PZCTBG ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6 تحقيق
SI1308EDL-T1-GE3 Image SI1308EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 تحقيق
IXTQ96N25T Image IXTQ96N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P تحقيق
IXTN32P60P Image IXTN32P60P IXYS MOSFET P-CH 600V 32A SOT227 تحقيق
SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC تحقيق

Latest الأخبار